Специального назначения
Полевые n-канальные транзисторы

Тип

Аналог

Параметры

Корпус

(аналог)

VDS, В

ID @TC=25°C, А

RDS(on), Ом

PD @ TC=25°C, Вт

2П767В7

IRFY240C

200

16

0,18

100

КТ-97В-1.08

Изолированный

 (TO-254AA)

2П769В7

IRFY140C

100

14

0,077

75

2П790А7

IRFM150

30

0,055

120

2П793А7

IRFM250

200

25

0,085

130

2П795А7

IRFM450

500

14

0,4

150

2П768К8

IRFM340

400

9

0,55

125

КТ-97В-1.09

(TO-254AA)

2П794А8

IRFM450

15

0,3

150

Полевые n-канальные транзисторы с пониженным RDS(on)

Тип

Параметры

Корпус (аналог)

VDS, В

ID @TC=25°C, А

RDS(on), Ом

PD @ TC=25°C, Вт

2П767Ж

200

16

0,12

100

КТ-28-2 (TO-220AB)

2П768П

400

9

0,42

125

2П769Д

100

25

0,052

100

2П790Б

100

35

0,03

150

КТ-43В (TO-247)

2П767Ж91

200

16

0,12

100

КТ-90 (D2Pak)

2П768К91

400

9

0,42

125

2П769Д1

100

25

0,052

100

2П767Ж92

200

16

0,12

100

КТ-94 (SMD-1)

2П769Д92

100

25

0,052

2П770П92

500

8

0,55

2П790Б92

100

35

0,03

150

2П794В92

400

15

0,2

2П795В92

500

14

0,27

2П767Ж2

200

16

0,12

100

КТ-28-2.01

2П769Д2

100

25

0,052

2П770П2

500

8

0,55

2П790Б4

100

30

0,03

120

КТ-43А-1.01

2П795В4

500

14

0,27

150

2П767Ж1

200

16

0,12

100

КТ-9С (TO-204AA)

2П769Д1

100

25

0,052

2П770П1

500

8

0,55

2П790Б1

100

35

0,03

150

2П794В1

400

15

0,2

2П795В1

500

14

0,27

Однофазные мосты

Тип

Аналог

VRRM,В

IF(AV), А

VFM @ IF(AV)

TС=25°С, В

IRM @ VRRM, мА

RthJC, ºC/Вт

Корпус

TС=25°С

TС=125°С

2М142А

DB104S

400

1

1,0

0,05

0,1

18

КТ-108-1

2М143А

DB105S

600

2М144А

PKR40F

400

10

1,2

0,1

1,5

3,5

КТ-109-1

2М145А

PKR60F

600

Изделия стойкие к ВВФ

ОАО “ВЗПП-С” выпускает широкую номенклатуру изделий специальной силовой электроники (см. каталог изделий). В настоящее время проведены работы по повышению стойкости к ВВФ ряда изделий в среднем в 1,5-2 раза. Следующими извещениями об изменении технических условий введены требования по устойчивости к воздействию ВВФ и значения электрических параметров, изменяющиеся в процессе и после воздействия ВВФ:

- КФДЛ.4747-08 (АЕЯР.432140.220 ТУ);

- КФДЛ.4748-08 (АЕЯР.432140.273 ТУ);

- КФДЛ.4743-2008 (АЕЯР.432120.217 ТУ);

- КФДЛ.4744-2008 (АЕЯР.432120.223 ТУ);

- КФДЛ.4745-2008 (АЕЯР.432120.296 ТУ);

- КФДЛ.4746-2008 (АЕЯР.432120.297 ТУ).

Дополнительная информация по тел./факс: (4732)233416 или по Email: market@vzpp-s.ru

Стабилизаторы напряжения

Услвное обозначение

Аналог

VOUT, В

IOUT, А

KI, %/А

KV, %/В

VDROP, В

IGND, мА

VREF, В

Корпус

ТЕСТ

LT1963A

1,21-20

1,5

0,4

0,03

0,34

1,5÷120(1)

1,21

4116.8-3

1,5

-

КТ-28А-2.01

1,8

2,5

3,3

ТЕСТ-1

LM79L05

-5

0,1

2,0

0,02

1,7

6(2)

-

4601.3-1

(Sot-89)

LP2950

2,5

0,1

0,04

0,38

0,12÷12(1)

2,85

3,0

3,3

5,0

ТЕСТ-2

LT1084

1,25-30

5,0

0,1

0,015

1,3

10(3)

1,25

КТ-28А-2.01

1,8

-

2,5

3,3

5,0

________

1 Диапазон токов в зависимости от тока нагрузки (IOUT).

2 Значение тока потребления при IOUT = 40 мА.

3 Значение тока потребления при минимальном токе нагрузки (IOUT).

ПЛИС 5576ХС1Т

I Выписка из ТУ на ПЛИС - АЕЯР.431260.478 ТУ

Условное обозначение микросхемы

5576ХС1Т

Основное функциональное назначение

Программируемая логическая интегральная схема с возможностью многократного изменения конфигурации

Классификационные параметры в нормальных климатических условиях (буквенное обозначен единица измерения)

Напряжение питания, В - 3, 3±0,3

Диапазон температур окружающей среды, °С:

от минус 60 до плюс 100

Число эквивалентных вентилей - 50000

Объем памяти, бит - 20480

Количество логических элементов - 2880

Количество триггеров - 3184

Кол-во выводов, программируемых пользователем - 176

Комплект конструкторской документации

ГПКФ.431262.001

Условное обозначение корпуса

240 CQFP

Код ОКП

6331343075

 

Таблица 2 – Электрические параметры микросхем при приемке и поставке

Наименование параметра,

единица измерения, режим измерения

Обозначение

Норма параметра

Тср, °С

Примечание

не менее

не более

Выходное напряжение низкого уровня, В,

UСС=3,0 В, UIL= 0,8 В, UIН=2,2 В, IOL=12 мА

UOL

-

0,45

– 60±3

25±3

100±5

Контролируется по одному произвольному пользовательскому выходу

Выходное напряжение высокого уровня, В,

UСС=3,0 В, UIL= 0,8 В, UIН=2,2 В, IОН= – 4 мА

UOН

2,4

-

Ток потребления, мА,

UСС=3,6 В, UIL= 0 В, UIН= UСС

IСС

-

15

-

Входной ток низкого уровня, мкА, UСС=3,6 В, UIL= 0 В

IIL

–10

-

Для пользовательских входов

Входной ток высокого уровня, мкА, UСС=3,6 В, UIН= 5,5 В

IIH

-

10

Выходной ток в состоянии «Выключено», мкА,

UСС=3,6 В, UIL= 0 В, UIН=3,3 В, UOL= 0 В;

UСС=3,6 В, UIL= 0 В, UIН=3,3 В, UOН= 5,5 В

IOZ

–25

 

25

– 60±3

25±3

100±5

Выходной ток буфера с третьим состоянием в состоянии «Выключено» для пользовательских входов–выходов

Длительность тактового интервала межрегистровой пересылки, нс,

UСС=3,0 В, UIL= 0 В, UIН= UСС

tDRR

-

17,2

-

Максимальная частота следования импульсов тактовых сигналов, МГц,

UСС=3,0 В, UIL= 0 В,

UIН= UСС

fCmax

100

-

Контролируется на тестовой конфигурации 8–разрядного счетчика. Время нарастания и спада входного сигнала (tr, tf) не более 3 нс.

 

Таблица 3 – Предельно – допустимые и предельные режимы эксплуатации  микросхем

Наименование параметра режима,

единица измерения

Обозначение

Предельно–допустимый

режим

Предельный режим

не менее

не более

не менее

не более

Напряжение питания, В

UСС

3,0

3,6

-

4,5

Входное напряжени  низкого уровня, В

UIL

0,2

0,8

0,5

-

Входное напряжение высокого уровня, В

UIH

2,2

5,5

-

6,0

Выходной ток низкого уровня, мА

IOL

-

12

-

32

Выходной ток высокого уровня, мА

IОН

4,0

-

–11

-

Емкость нагрузки, пФ

СL

-

100

-

 

 

2.7 Требования по надежности

2.7.1 Наработка до отказа в режимах и условиях эксплуатации, допускаемых настоящими ТУ, при температуре окружающей среды не более (65+5) °С должна быть не менее 100000 ч и не менее 120000 ч в следующем облегченном режиме: температура окружающей среды  Токр =45 °С, напряжение питания UСС = 3,3  В ± 5 %.

 

II Особенности конфигурирования ПЛИС 5576ХС1Т

1 Последовательная и параллельная загрузка конфигурации ПЛИС по специальному загрузочному порту, с использованием конфигурационного ПЗУ, загрузочного кабеля или микропроцессора, а также загрузка конфигурации ПЛИС по JTAG порту.

2 Для конфигурирования могут быть использованы конфигурационные микросхемы фирмы Altera, Atmel, ОАО “Ангстрем” и др.

3 Для проектирования можно использовать САПР фирмы Altera MAX+PLUS II, для компиляции выбирается ПЛИС EPF 10K50. Возможен ввод проекта и моделирование, автоматическое размещение  элементов и трассировка межсоединений, конфигурирование ПЛИС. Альтернативные САПР других производителей: Synplisity, Aldec и др.

4 Возможность внутрисистемного программирования (ISP).

 

ПЛИС функционально совместима с микросхемой EPF10K50RI240 ф.Altera.

Быстровосстанавливающиеся диоды

Тип

Параметры

trr, нс

Корпус

(аналог)

IF(AV), А

VFM @ IF(AV)

TC=25°C, В

VRRM, В

IRM @ VRRM, мА

TC=25°C

TC=125°C

2Д640МС

(2х8)

1,7

600

0,5

8

40

КТ-28-2 (TO-220AB)

2Д640МС2

КТ-28-2-2.01

2Д640МС91

КТ-90 (D2-Pak)

2Д641К1

15

2,2

0,1

3

КТ-32А

2Д641КС

(2х15)

1,8

0,5

8

КТ-28-2 (TO-220AB)

2Д641ВС7

1,7

КТ-97В-1.08

Изолированный

(TO-254AA)

2Д663БС9

(2х1)

1,5

0,1

1

КТ-89 (D-Pak)

2Д663А95

1

1,5

60

КТ-99-1 (Sot-89)

2Д663Б95

1

16

40

Бескорпусные изделия

                             Полевые n-канальные транзисторы с пониженным RDS(on)

Тип

Параметры

VDS, В

RDS(on), Ом

2П767Ж-5

200

0,12

2П768П-5

400

0,42

2П769Д-5

100

0,052

2П770П-5

500

0,55

2П790Б-5

100

0,03

2П794В-5

400

0,2

2П795В-5

500

0,27

 

                                            Мощные высоковольтные диоды

Тип

Параметры (Tamb=25°C)

trr, нс

VFM @ IF=1 А

Tamb=25°C, В

VRRM, В

IRM @ VRRM, мА

Tamb=25°C

Tamb=125°C

2Д2142А-5

1,0

400

0,01

0,1

120

2Д2143А-5

600

0,02

1,5

2Д2144А-5

1,2

400

0,01

0,1

2Д2145А-5

600

0,02

1,5

 

Общепромышленного назначения
Транзисторы, автомобильная электроника

IGBT

Тип

Аналог

VCSE, В

IC, А

PD @ TC=25°C, Вт

Корпус

TC=25°C

TC=100°C

IGBT1

 

1500

30

16

100

КТ-43В

IGBT2

IXLF19N250A

2500

20

12

200

Типа ISOPLUSi4-PAC

 

Полевые p-канальные транзисторы

Тип

Аналог

VDS, В

ID @TC=25°C, А

RDS(on), Ом

PD @ TC=25°C, Вт

Корпус

КП7229А

IRF5210

-100

-40

0,055

150

КТ-28-2 (TO-220)

КП7229Б

0,060

 

Автомобильная электроника

ИС К1055ХВ9Р (DIP-8) и К1055ХВ9Т (SO-8) - управление реле поворотов

Особенности:

- питание 12 В при использовании резистора RВН=470 Ом;

- компаратор обнаружения обрыва лампы;

- защита от выбросов генератора;

- защита от выбросов с катушки реле;

- фильтр ЭМИ;

- дежурный режим;

- возможность выдерживать напряжение двойной батареи;

- низкий ток потребления;

- температура окружающей среды от -40 до 100 °C;

- совместимость, вывод в вывод, с U2043, U6043, UAA1041, L9686, КР1055ГП1, КР1055ГП3.

 

Основные электрические павраметры

Наименование

Обозн.

Ед. изм.

Значение

min

max

Напряжение питания

UCC

В

8

24

Напряжение срабатывания компаратора неисправности лампы при UCC=13,5 В

US

мВ

-86,5

Напряжение стабилитрона защиты

UZ

В

-24

Напряжение стабилитрона защиты, RВН=470 Ом

UZ

В

-27

Напряжение насыщения на выводе 3 (I3=-250 мА)

USAT3

В

-1,3

Ток потребления в состоянии “реле вкл.” при UCC=13,5 В

ICC1

мА

-3,6

Ток потребления в состоянии “реле выкл.” при UCC=13,5 В

ICC10

мА

-3,6

.::о предприятии::. .::реквизиты::. .::каталог изделий::. .::документы::. .::новые изделия::.